技术编号:6785339
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体设备,特别涉及一种硅片扩散设备。背景技术目前,在晶硅太阳电池扩散设备中,待反应气体通过炉尾处的进气管导入炉体内,并在炉体内某点释放,然后扩散至整个炉腔。由于进气管直径远小于扩散炉管直径,这导致与进气管同一水平线上的气体比炉管上端及底部的气体受到后续气体的推动力稍大,该处与炉管上端及底部的气体浓度不一致,将导致硅片上下部的掺杂不均匀性。此外,由于进入炉体的待反应气体尚未混合充分,混合气体因空间位置不同而在成分、密度存在差异,这将导致硅片掺...
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