技术编号:6785481
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及耗尽型功率半导体器件,更具体的,涉及一种高可靠性耗尽型功率半导体器件。背景技术栅介质层的时变击穿(TDDB)是造成大多数栅控耗尽型功率半导体器件受到破坏的一个重要因素,为了避免栅介质层击穿以提高半导体器件的可靠性,在实际应用中一般会严格限制施加在栅电极上的栅电压,以保证栅介质层工作在低应力条件下。业界希望能突破栅控耗尽型功率半导体器件的上述限制。具体的,希望能从内在半导体器件性能出发,通过提出新的半导体器件结构以提高可靠性。实用新型内容本实用...
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