技术编号:6785528
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种拥有由高电介体材料制成的栅极绝缘膜的。背景技术 近年来,半导体器件的高集成化及高速化的技术发展推进了MOSFET的细微化。细微化的进展推进了栅极绝缘膜的薄膜化,从而使因沟道电流而引起的栅极漏电流的增大等问题表面化。为了抑制这个问题,利用铪氧化物(HfO2)和锆氧化物(ZrO2)等金属氧化物,也就是通过在栅极绝缘膜中使用高介电常数材料,来开发既能实现薄氧化膜(SiO2膜)换算膜厚EOT(Equivalent Oxide Thickness)又能...
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