技术编号：6786039
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种LED用非极性GaN外延片的制备工艺。背景技术目前使用的LED外延片是III族氮化物生长在蓝宝石单晶衬底上获得，因为蓝宝石晶体具有与GaN相似的六方对称结构，熔点2050°C，工作温度1900°C，具有良好的高温稳定性和机械力学性能。发光效率达到28% (还有待进一步增长)，该数值远高于通常使用的白炽灯(约为2%)和荧光灯(约10%)的发光效率。然而，蓝宝石衬底的氮化物LED外延片也存在三个严峻问题1.产品价格高；2.晶格失配率高；3.产品热...
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