技术编号:6786720
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及IGBT,并且更具体地涉及ー种能够实现在设置阈值电压时增加灵活性同时实现抑制沟道迁移率降低的IGBT。背景技术近年来,已经从半导体器件的更高击穿电压、降低损耗和用于高温环境等的观点研究了使用碳化硅作为用于半导体器件的半导体材料。碳化硅是宽带隙半导体,与通常且广泛用作用作半导体器件的半导体材料的硅相比具有更宽的带隙。因此,通过利用碳化硅作为半导体器件的材料,可以实现半导体器件的更高击穿电压、导通电阻降低等。 与包括硅作为半导体材料的半导体器件相比,...
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