技术编号:6787041
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及一种半导体器件,特别是涉及一种应用于射频领域的LDMOS器件。背景技术射频LDMOS (横向扩散MOS晶体管)器件通常应用于大功率射频领域,例如射频基站和广播站。通常,多个射频LDMOS器件以阵列形式组合使用。因此每个射频LDMOS器件都需具有高可靠性,以免因个别器件的薄弱(例如过早击穿)而造成整个阵列毁坏。请参阅图1,这是一种现有的射频LDMOS器件。以η型射频LDMOS器件为例,在P型重掺杂衬底I上具有P型轻掺杂外延层2。在外延层2中具有侧面...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。