技术编号:6787046
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的具体实施例大体涉及半导体设备及设备制造方法,且更特别的是,涉及设备及制造方法用以形成接触件于形成于半导体衬底上的设备与上覆层(overlyinglayer)间。背景技术晶体管,例如金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET),为绝大部分的半导体设备的核心建构组件。有些半导体设备,例如高效能处理器设备,可包含数百万个晶体管。对于此类设备,减少晶体管尺寸,从而增加晶体管密度,传统上一直为半导体制造工业优先的考虑。随着晶体管的尺寸及间隔减小,要避免相邻设备...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。