技术编号:6787228
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种置于η型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件。背景技术半导体的发展分别经历了硅、锗元素第一代半导体材料,砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)等化合物第二代半导体材料,氧化锌(ZnO)、金刚石、碳化娃(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)和硫化锌(ZnS)为代表的第三代半导体材料。相对于第一、第二代半导体材料,第三代半导体材料具有宽的禁带宽度、高的击穿电场、高的热导率、高的电...
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