技术编号:6787271
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于GaN系材料制备,更具体地说,涉及一种通过改善GaN基LED量子阱中浅量子阱生长结构及MO源(金属有机源)种类含量进而提高亮度的方法。_背景技术GaN (氮化镓)基材料是离子晶体,由于正负电荷不重合,形成自发极化;另外由于InGaN (氮化铟镓)和GaN材料之间的晶格适配,又会引起压电极化,进而形成压电极化场。极化场的存在,一方面使得量子阱的等效禁带宽度减小,发光波长红移;另一方面电子和空穴波函数的交叠会减小,降低其辐射复合几率。影响量子阱发光效...
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