技术编号:6787465
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,具体来说是。背景技术在半导体的制造领域,通常采用电镀铜工艺进行互连,导通逻辑晶圆与像素晶圆, 由于深槽的深宽比大,对填充能力要求严格,传统工艺极易形成空洞,图3为传统工艺电镀铜填充的透射电子显微镜(TEM Transmission electron microscope)图,如图3所示,可以明显看到通孔内的空洞,而空洞会对传感器的可靠性产生影响,背照式影像传感器最新工艺的电镀铜填充工艺存在空隙问题,迫切需要解决。目前还没有方法能避...
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