技术编号：6787729
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子器件，尤其是ー种基于硅-分子复合体系的单分子负微分电阻效应(NDR,Negative Differential Resistance)器件及其制备方法,可用于高频的开关振荡器以及锁频电路等。背景技术近几十年半导体器件已由最早的电子管发展至当今的大規模集成电路。但随着人们对信息处理的高速度、高容量需求，传统的半导体器件已经很难满足这些需求。因此，寻找更新、更稳定、更强大的电子器件已经成为电子信息技术迫切需要考虑和解决的问题。近些年的研究也发现ー...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。