技术编号:6787734
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的形成。背景技术在半导体晶片处理过程中,使用公知的图案化和蚀刻处理工艺在晶片中限定半导体器件特征。在这些处理工艺中,光刻胶(PR)材料沉积在该晶片上,然后暴露于由中间掩模过滤的光线。该中间掩模通常为图案化为具有模版特征几何形状的玻璃板,该几何形状阻止光线透过该中间掩模传播。在通过中间掩模后,光线接触该光刻胶材料的表面。该光线改变该光刻胶材料的化学组成,从而显影剂可去除该光刻胶材料的一部分。在正光刻胶材料的情况,去除暴露的区域,而在负光刻...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。