技术编号:6787780
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种,特别是有关于一种具凸柱结构的。背景技术现今的半导体结构,其制造过程依序如下首先通过晶圆制作、电路设计、光掩膜制作及晶圆切割等步骤完成晶片,再利用打线结合(wire bonding)、覆晶结合(flip chipbonding)等方式,将晶片电性连接在娃仲介层(interposer)上,以及晶片与娃仲介层之间可以填入底部填充胶(underfill)包覆晶片的接点,并经过烘烤使其固化。一般的点胶过程是将一底部填充胶(例如环氧树脂)存放在加热...
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