技术编号:6787883
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子,特别是涉及一种用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料。背景技术相变存储器(PCM)是近年来兴起的一种非挥发性半导体存储器。与传统的存储器相比,它具有存储单元尺寸小、高读写速度、低功耗、循环寿命长、以及优异的抗辐照性能等优点。基于上述优点,相变存储器不仅能够取代现有的存储器,而且还在普通存储器达不到的一些领域(诸如空间、航天技术和军事等领域)产生新的应用。相变存储器是新型存储技术中有力的竞争者,有望替代闪存(Flash技术)成为下一...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。