技术编号:6787905
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。发明涉及一种硅基发光二极管,尤其是一种应用纳米银圆环局域表面等离激元增强发光效率的硅基可控波长发光二极管,同时还涉及其制备方法,属于纳米光电子器件材料。背景技术提闻娃基光源的光发射效率是目如实现单片娃基光电集成的瓶颈。理论研究表明,通过纳米金属的局域表面等离激元来提高硅基发光器件的内量子效率有可能成为解决这一问题的有效途径。近年来,纳米金属局域表面等离激元在增强硅基发光器件的发光效率方面取得了突破性的进展,2008年韩国Seone-Ju Park小组报道了...
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