技术编号：6788011
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光电，特别涉及一种可用于量子级联激光器掩埋双周期光栅的制作方法。背景技术半导体光电子器件中小周期(ΙμΜ以下)光栅制作通常有全息曝光和电子束曝光两种方法。全息曝光法是利用两束波长一致的相干光以一定的夹角入射到衬底表面形成明暗相间的干涉条纹，并通过表面涂有的光刻胶记录下这些干涉图样，经过显影后就可以形成具有均匀周期的光刻胶光栅掩膜，然后通过刻蚀工艺(湿法或者干法刻蚀)将光栅图形转移到衬底表面。全息曝光系统具备设备简单，成本低，曝光周期任意可调...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。