技术编号:6788062
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及使用氧化物半导体的薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的显示单元和包括该显示单元的电子设备。背景技术人们已经知道锌、铟、镓、锡及其混合物的氧化物(下文称为“氧化物半导体”)具有良好的半导体性能,并且近年来,已经积极地研究了将氧化物半导体应用到作为有源阵列显示单元的驱动元件的薄膜晶体管(下文称为“TFT”)。例如,锌、铟和镓的混合氧化物(下文称为“IGZ0”)的电子迁移率比所属领域中用作半导体的非晶硅的电子迁移率高10倍或更多倍;因此,非常希望将IGZO应...
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