技术编号:6788145
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体,具体涉及一种具有高金属吸杂能力的n/n+硅外延片及其制备方法。背景技术以重掺n型直拉硅为衬底,轻掺n型硅作为外延层的n/n+硅外延片,由于可以更为显著的减少功率器件的功耗,因而该被广泛可用于功率器件,包括MOS和双极型器件等。此外,硅外延片的另外一个主要特点是在于其优越的金属吸杂性能。偏析吸杂与内吸杂两种吸杂机制决定了硅外延片的吸杂效率。对于n/n+外延片,产生有效的偏析吸杂则要求衬底中的施主的掺杂浓度要远大于外延层中施主的掺杂浓度,才会...
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