技术编号：6788245
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电力半导体器件的生产工艺。目前，普通晶闸管一类电力半导体器件的生产，广泛采用全扩散法，即在n型硅片上，一次掺杂P型杂质，使之形成PnP结构，然后氧化、光刻(或喷胶、挖槽)，二次掺杂n型杂质，形成PnPn结构。P型杂质源的掺杂方法不外乎两种涂层硼-铝扩散和闭管镓扩散。前者属于双质扩散，由于硼扩散结深浅造成电参数分散性大，铝的前治浓度低，动态参数不理想;后者虽能得到较为理想的杂质分布，但由于该工艺需要难度较大的真空封管技术、成本高、工艺操作十分复杂，...
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