技术编号：6788897
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子，特别是涉及ー种。背景技术宽禁带化合物半导体材料由于具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、导热性能好等特点，在高频、高温、大功率等领域显示出极大的潜力，尤其是氮化物高压器件更以其优越的性能和巨大的发展潜力而备受全世界众多研究者的关注。目前在硅衬底上生长氮化物外延层制作氮化物高压器件的技术正日趋成熟，因为其成本较低，极大的促进了氮化物高压器件的市场化。由于硅材料本身具有导电性且击穿电场比较小，在外加高电压条件下，硅衬底相当于低阻区，...
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