技术编号：6788947
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种离子注入方法、输送容器及离子注入装置。背景技术太阳能电池中，硅等半导体材料吸收光时产生的电子空穴对由于形成于电池内部的Pn结等产生的电场，电子向η层侧移动，空穴向P层侧移动，从而作为电流向外部电路输出。形成ρη结或接触层时需要局部进行使杂质的浓度或种类不同的处理。作为这种处理之一利用离子注入技术。例如，专利文献I中公开有为了实现提高太阳能电池的效率的杂质分布，而对基板表面进行多次离子注入的装置。该装置中，在真空状态的装置内对基板进行第I离子注...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。