技术编号:6789111
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氮化镓(GaN)基半导体器件,尤其是涉及一种用于在蓝宝石上外延生长的。背景技术宽禁带GaN基半导体材料具有优异的光电特性,已被广泛应用于制作发光二极管、激光器、紫外探测器及高温、高频电子器件等。由于GaN的体单晶制备异常困难,大面积厚层单晶GaN的生长难以直接获得,目前GaN基材料普遍采用价格相对低廉的蓝宝石作为异质衬底。蓝宝石衬底是绝缘的材料,因此,此类GaN基器件无法实现垂直结构,只能采用同侧台阶电极结构。同侧台阶电极结构的电流为侧向注入,导...
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