技术编号:6789193
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及多晶硅片晶向的检测方法及检测装置。背景技术太阳能铸淀多晶娃片晶粒一般在Icm左右,单张娃片晶粒数量在500个以上。晶粒之间因晶向的不同,对后续电池工艺的影响也不尽相同。如〈100〉晶向可通过碱制绒而获得高捕光效果的金字塔绒面,而〈111〉晶向则只能通过酸制绒或其它各向同性的制绒方式来获得绒面。不同的晶粒具有不同的晶向,不同的晶向拥有不同的绒面特性,继而产生了不同的表面复合速率,影响着最终电池的性能参数。因此,通过对整张硅片晶向的准确测试和评估,有...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。