技术编号：6789347
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明为一种制作GaAlAs隐埋异质结激光器的简单实用方法。具有很低阈值电流的GaAlAs隐埋异质结激光器是短波长光电集成电路中的重要光源。为了降低这种器件的阈值电流，目前，普遍采用多层反偏p-n结和表面介质膜限流窗口条等方法以实现侧向电流的限制，但是这些方法一般较为复杂，对工艺条件要求较为苛刻，采用简单的设备不易实现，而且多层反偏p-n结的电容大不利于器件的高速调制。本发明就是为了简化上述器件的制作工艺而在二次液相外延中采用的一种新的简单的伴生高阻层生长...
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