技术编号：6789458
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电容器的制造方法，特别是涉及一种大容量的薄膜电容器的制造方法。背景技术现有薄膜 电容器中，由于电介质层的厚度变薄，故为提高电介质层的静电容量密度，而将介电常数高的材料用于电介质层。作为介电常数高的材料，现有一般采用钙铁矿型氧化物。例如，锆钛酸铅(PZT)、锫钛酸镧铅(PLZT)、铌镁酸铅(PMN)、钛酸锶钡(BST)等。该钙铁矿型氧化物通过将前驱体退火使其结晶化而得到，可通过在高温下退火来提高其介电常数，但是，为了提高介电常数，有时升高退火温...
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