技术编号:6789488
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电容器,特别是涉及一种大容量的薄膜电容器。背景技术现有薄膜电容器中,由于电介质层的厚度变薄,故为提高电介质层的静电容量密度,而将介电常数高的材料用于电介质层。作为介电常数高的材料,现有一般采用钙铁矿型氧化物。例如,锆钛酸铅(PZT)、锫钛酸镧铅(PLZT)、铌镁酸铅(PMN)、钛酸锶钡(BST)等。该钙铁矿型氧化物通过将前驱体退火使其结晶化而得到,可通过在高温下退火来提高其介电常数,但是,为了提高介电常数,有时升高退火温度,有时延长退火时间等...
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