技术编号:6789492
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于薄膜电容器领域,特别是涉及。背景技术现有薄膜电容器中,由于对电容器的电容量提出了更高的要求。现有技术中,薄膜电容器一般包括基板、电介质层以及电极层。电介质层的微观结构是决定电容器性能的关键因素。因此,对于薄膜电容器基板的材料构造有严格的要求。现有的薄膜电容器基板多有采用金属镍来构成。为了在提高电容量的同时不影响电容器的性能,镍基板的纯度和杂质构成就不能忽视。若镍基板中含有不期望的杂质,或者其纯度不足,将限制薄膜电容器的电容量提高,并且可能增加其泄...
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