技术编号:6789740
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,属半导体器件制造。背景技术目前,在制备方形晶闸管芯片的方法中,一般都包括用对通扩散法形成对通隔离区,对通部分采用的扩散源主要分为纯硼、镓铝或纯铝。纯铝为对通扩散源的优点是扩散时间短、速度快,能够实现400微米以上的N型硅片两面部分P型对通。硅片完成对通隔离后,再依次进行P型杂质扩散、光刻、N型杂质扩散、台面造型、槽内钝化、双面金属化和芯片分害I],最后制成晶闸管芯片。已有技术的铝对通扩散常规方法包括以下步骤(I)硅片清洗;(2)硅片双面蒸铝;(...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。