技术编号:6789959
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体管制造技术,尤其涉及一种隧穿场效应晶体管的结构设计。背景技术为满足新一代移动计算设备工作时间的要求,CMOS逻辑电路的功耗需要进一步减小。降低MOS晶体管的工作电压&可以有效降低CMOS逻辑电路的功耗,但是为确保电路能逻辑功能的可靠实现,MOS场效应晶体管的开/关态电流比(JlJIm)必须足够高,因此要求构成逻辑电路的晶体管具有小的亚阈斜率。而受限于载流子的热扩散过程,MOS场效应晶体管的亚阈斜率> 60 mV/dec (室温)...
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