技术编号:6790001
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域,具体涉及一种垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管。背景技术自第一块集成电路诞生以来,集成电路技术一直沿着“摩尔规律”的轨迹发展,半导体器件尺寸不断减小。同时,由于传统MOSFET的亚阈值斜率受到热电势kT/q的限制而无法随着器件尺寸的缩小而同步减小,使得器件泄漏电流增大,整个芯片的能耗不断上升,芯片功耗密度急剧增大,严重阻碍了芯片在系统集成中的应用。为了适应集成电路的发展趋势,新...
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