技术编号:6790039
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能利用,具体地说,本发明是一种应用于硅太阳电池刻蚀(背腐蚀)工段的方法。背景技术目前,单、多晶硅太阳电池的主要制造工艺已经标准化,其主要步骤如下 a.化学清洗及表面织构化处理通过化学反应使原本光亮的硅片表面形成蜂窝状的结构以增加光的吸收。b.扩散P型硅片在扩散后表面变成N型,形成PN结,使得硅片具有光伏效应。扩散的浓度、深度以及均匀性直接影响太阳电池的电性能,扩散进杂质的总量用方块电阻来衡量,杂质总量越小,方块电阻越大。c.刻蚀(背腐蚀)该...
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