技术编号:6790279
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,尤其涉及一种。背景技术多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP,Poly-1nsulator-Poly)电容器和多晶硅-多晶硅-衬底(PPS,Poly-Poly-Substrate)电容器在逻辑电路或闪存存储器电路中,被广泛应用于防止噪音和模拟器件的频率解调。请参考图1,是现有的PIP电容的剖面结构示意图,包括半导体衬底10,所述半导体衬底10内形成有浅沟槽隔离结构11,且所述浅沟槽隔离结构11表面与半导体衬底10表面齐平;位于所述浅沟槽隔离结...
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