技术编号:6790384
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高电子迁移率器件,具体涉及,属于高电子迁移率器件领域。背景技术高电子迁移率晶体管(HighElectron Mobility Transistors,HEMT)被普遍认为是最有发展前途的高速电子器件之一。由于具有超高速、低功耗、低噪声的特点(尤其在低温下),能极大地满足超高速计算机及信号处理、卫星通信等用途上的特殊需求,故而HEMT器件受到广泛的重视。作为新一代微波及毫米波器件,HEMT器件无论是在频率、增益还是在效率方面都表现出无与伦比的优...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。