技术编号：6790573
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光伏电池新能源，涉及一种薄膜材料表面处理方法，具体地，涉及。背景技术以铜铟镓硒(CIGS)材料作为吸收层的薄膜太阳电池具有高光电转换效率、良好的抗辐射性能等特性，已成为光伏电池领域的研究热点之一。铜铟镓硒薄膜材料是P型半导体，而缓冲层材料(如硫化锌)为η型半导体，二者构成电池的核心部分ρη结。铜铟镓硒材料为多晶化合物材料，由于铜、铟、镓、硒等元素的热扩散系数等具有差异，易于在材料中出现替位缺陷Ineu、Gacu和空位缺陷Veu、Vse等，这些缺陷...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。