一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构及其生产方法技术资料下载

技术编号:6790981

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本发明属于半导体,具体地,涉及。背景技术发光二极管(LED,Light Emitting Diode)是一种半导体固体发光器件,其利用半导体PN结作为发光材料,可以直接将电转换为光。当半导体PN结的两端加上正向电压后,注入PN结中的少数载流子和多数载流子发生复合,放出过剩的能量而引起光子发射,直接发出各种颜色的光。以氮化镓为代表的III族氮化物是直接带隙的宽禁带半导体材料,具有电子飘移饱和速度高,热导率好、强化学键、耐高温以及抗腐蚀等优良性能。其三元合金铟...
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