技术编号:6790986
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种改善应力释放和载流子存储的发光二极管外延片,所述外延片的结构自下而上依次为衬底、低温GaN缓冲层、未惨杂的闻温GaN缓冲层、Si惨N型GaN层、低温浅量子阱、低温多量子阱发光层、低温P型GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、高温P型GaN层和P型接触层;所述浅量子阱由5 12个周期的InxGal-XN(0.04<x<0.4)/GaN多量子阱组成,所述多量子阱的生长方式是类漏斗形式。优选地,所述衬底为蓝宝石、GaN单晶、单晶硅或碳化硅...
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