技术编号:6791001
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种浅沟槽隔离工艺。背景技术随着半导体技术的发展,集成电路的关键尺寸越来越小,使得浅沟道隔离(STI)工艺的尺寸也越来越小,这就对相关的工艺步骤的要求越来越严格,尤其是在化学气相沉积(CVD)工艺中对沟槽的填孔能力要求越来越苛刻,于是工程人员不得不采用更好的新材料或新方法以用于提高CVD工艺中的填孔能力,以满足工艺的需求;如在半导体技术进入65nm及其以下技术节点后,工程人员在CVD工艺中开始引入填孔能力更好的高纵深比制程...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。