技术编号：6791222
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及三极管领域，具体为一种基于双量子阱谐振隧穿型的npn三极管及其应用。背景技术1974年，美国的IBM公司采用分子束外延技术(MBE)成功地制作了世界上第一个谐振隧穿二极管(单量子阱).结构是在GaAs衬底上生长两个80 厚的Gaa3Ala7As的势垒材料，中间夹了一层50 厚的GaAs势阱；势垒高度是0.4eV.共振隧穿单量子阱二极管是通过控制阱中的局域能级与发射极的导带底对齐产生谐振从获得极大的电流增益.峰谷比得到很大的比值(ratio)。量子...
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