技术编号:6791309
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,具体涉及一种腐蚀金相法检测多晶硅片位错密度的方法,属于多晶硅片的位错检测领域。背景技术太阳能光伏发电作为最有潜力的可再生资源利用形式之一,在近年来取得了飞速的发展,并且制备出具有较高光电转换效率的电池片将成为未来的发展方向。然而,在多晶铸锭过程中,由于种种原因,特别是高温下硅晶体中的内应力使原子面间产生滑移,晶面局部产生塑性形变,在晶体中形成了晶格缺陷——位错。硅晶体中的位错将成为金属杂质的本征聚集中心,成为空穴和电子的复合中心,引起少子寿命(...
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