技术编号:6791328
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及一种化合物半导体的金属化结构。背景技术随着信息技术的不断发展,化合物半导体在微电子学和光电子学领域中发挥的作用越来越巨大。以碲镉汞(HgCdTe)、锑化铟(InSb)、铟镓砷(InGaAs)等化合物半导体为基础材料制备的红外焦平面阵列已成为当今红外探测器发展的主流。此类红外焦平面探测器在目标搜寻、导弹预警探测、情报侦察等领域有着广阔的应用前景。InGaAs, InSb是典型的II1-V族化合物半导体,HgCdTe是典型的I1- V...
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