技术编号:6791418
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及分子束外延生长,尤其是涉及一种在GaAs衬底上采用缓冲层生长工艺外延生长InAs/GaSb超晶格结构的方法。背景技术InAs/GaSb 二类超晶格材料是最有希望的第三代红外探测器材料之一,具有均匀性好,暗电流小,俄歇复合几率低,覆盖波段范围大等优点,在制导、夜视等军事领域以及工业检测、遥感等民用领域具有重要应用,是当前红外探测领域的研究热点之一。所谓超晶格结构是指是两种晶格常数较为匹配的材料交替生长形成的周期结构。通常,InAs/GaSb 二类超...
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