技术编号：6791717
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体，特别是涉及一种。背景技术由于氧化硅膜(SiO2)制备容易并且与硅衬底之间有着良好的界面，使其对于硅基半导体工艺非常重要，同时也成为最普遍应用的膜材料之一。氧化硅膜在半导体集成电路中的应用包括以下几个方面保护器件免划伤和隔离玷污、限制带电载流子场区隔离(表面钝化)、栅氧或储存器单元结构中的介质材料、掺杂中的注入掩蔽、金属导电层间的介质层。硅片上的氧化硅膜可以通过热生长或者淀积的方法产生。其中，热生长形成氧化硅膜的方法为将硅片曝露在高温的氧气...
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