技术编号：6791821
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力电子的半导体器件，具体为一种适用于平面栅双极型晶体管的自对准绝缘栅双极型晶体管的制作方法。背景技术IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)自 20 世纪80年代问世以来，目前已发展到第六代技术，相关产品广泛应用于逆变器、电动汽车、铁路、家电等领域。对于平面型IGBT (如图1所示)，为提升其性能和市场竞争力，必须在发挥其制备相对简单、成本相对较低廉的优势基础上，实现高耐压、大电流和低...
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