技术编号:6791880
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于非易失性存储器件,具体涉及一种可擦写的薄膜阻变存储单元及其制备方法。背景技术电阻式随机存储器(Resistive Random Access Memory, RRAM)的机理是外电场触发可逆电阻转变效应,即在外加电压的作用下,器件的电阻在低阻态(“O”)和高阻态(“I”)之间可逆转变,并且所得到的电阻在外电场去除后可以保持下来。基于这一效应,科学界提出了一种新型非易失性存储器概念——电阻式随机存储器。RRAM技术的最终目标是将现有单一电子产品中含...
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