技术编号：6791882
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器，尤其是，利用量子点所具有的独特的二类异质结构，将其应用于空穴型存储器领域，可以在读写速度、存储密度、使用寿命、功耗等方面具有优异的性能。背景技术当今社会处在信息时代，信息技术随时在不断发展进步，需要存取的数据量越来越大，对存储容量、读写速度、功耗、体积等要求越来越高。FLASH和DRAM这两种应用最广泛的半导体存储器越来越不能满足人们的需求。人们提出，未来的高性能存储器应该既具有FLASH长达10年的存储时间，又具有DRAM的耐用性...
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