技术编号:6791886
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术埋层扩散(BLN+)是双极型集成电路和双极性工艺为基础的BiCMOS集成电路制造中必不可少的工艺之一,它是为了解决集成电路中晶体管集电极引线(连线)必须走向表面,造成集电区串联电阻增大、晶体管饱和压降增大等矛盾而引入的,在衬底外延之前,必须先形成低阻的N +型薄层的工艺即埋层扩散,以降低集电区串联电阻,以及减小寄生pnp晶体管的影响,(见图1所示)。但现有常规埋层扩散存在如下问题有的工艺复杂、有的对后续工艺影响大要求严格工艺兼容性差、有...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。