技术编号:6792118
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电力半导体器件领域的工艺技术,具体涉及一种半导体制备过程中的在硅片上实施铝扩散的方法及其制造的晶闸管芯片。背景技术在晶闸管,晶体管等半导体器件的制造技术中,隔离扩散一般使用硼作为扩散杂质源,但其扩散时间较长,扩散浓度高,侧向扩散系数大等缺点,导致产品存在稳定性、可靠性较低,漏电流较大,反向阻断电压、通态电流较小,成本较高,温度特性差等缺陷。研究表明,铝杂质源的扩散系数是硼杂质源的8倍左右,采用铝扩散进行对通隔离,可使扩散温度降低5-25°C、...
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