技术编号:6792635
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电容器制造领域。迄今为止,SrTiO3基晶界层制造方法为以SrCO3和TiO2作为原料,在1100~1200℃下合成为SrTiO3,经粉碎、球磨后获得SrTiO3粉料,作为制作SrTiO3基晶界层电容器的原料,按一定比例在SrTiO3粉料中加入SrCO3、TiO2、Nb2O5以及其他添加物,利用通常的陶瓷制备工艺过程制成一定尺寸的园片素坯后,在≥1400℃温度,N2+H2的混合流动气体中进行烧结,获得半导化基片,然后在半导化基片上涂敷由Bi2O3...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。