技术编号:6798014
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光生伏打电池的制造,及更具体地说,涉及生产硅太阳电池的改进的方法,以便提高太阳电池能量转换效率。1984年6月5日授予阿勒普·R·查乌都利(Arup R.Chaudhuri)的“制造太阳电池的方法”的美国专利第4,451,969号公开一种制造半导体太阳电池的方法,在该电池中四氮化三硅层起着用于金属化的掩模的作用,也起着抗反射涂层的作用。相似的方法叙述在1987年2月3日授予小岩井阪江等人的“太阳电池的制造方法”的美国专利4,640,001号中。查...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。