技术编号：6798181
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体异质结构，其中包含交替的多组硅层与锗层(或硅锗合金)，至少有一组层足够地薄，而处于弹性形变状态，致使限定一个相关的短周期超晶格。本发明特别地，但不是专门地，涉及这类适用作光发射器件的准直接带隙异质结构器件。超晶格结构，也就是，异质结构器件是由有不同带隙的共用一个共同的晶格结构的交替的多层材料组成，这些已为众所周知，并用之于工艺中。由交替多层组成的材料，实际上具有不同的晶格参数，不可避免地会出现两种情况中的一种，或者在各层的界面产生位错，或者...
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